• HIT:单晶PERC之后的下一个光伏电池新赛道?

    2018-11-10 14:14:45

    现在看来,HIT是最有竞争力的下一代光伏电池技能。 HIT叫法繁复,没有构成一致称号,各个厂商各自为战,分明是相同的技能道路,各家公司却偏要叫不同的姓名,HIT、HJT、HDT、SHJ其实

      现在看来,HIT是最有竞争力的下一代光伏电池技能。

       HIT叫法繁复,没有构成一致称号,各个厂商各自为战,分明是相同的技能道路,各家公司却偏要叫不同的姓名,HIT、HJT、HDT、SHJ其实指的是同一个东西,都是指异质结光伏电池。现在正处于HIT工业推行的初期,顾客还没有对HIT的优势构成明晰认知,各个厂家却又要别具一格起不同的姓名,使得下流电站业主傻傻地分不清楚,添加认知难度,晦气工业推行,所以此处我呼吁国内重要HIT技能道路上的厂家,赶快一致道路称号,为咱们了解HIT发电优势扫清认知妨碍。因为为本文写作供给很多协助的易治凯先生习惯于把异质结电池叫做HIT,所以本文运用HIT这个姓名。HIT专利从2015年过期,现在各家开展HIT已无专利方面的妨碍,中心妨碍在于怎么把本钱做低,HIT本钱方面的妨碍首要来自1、设备未完成国产化单位产能出资额度较高;2、产值较小导致N型硅片、要害辅材价格较高。第二个问题是一个先有鸡仍是先有蛋的问题,所以HIT真实想获得量产打破,有必要完成要害设备的国产化打破并把单位产能的出资本钱大幅下降。这些年咱们国家在高精尖设备范畴连续打破,我国的配备制造业正在快速由大变强,这也是我对HIT技能道路如此有决心的原因地点。一、看好HIT电池道路的原因看好HIT技能道路是因为:更高的功率潜力(现在最高25.6%,叠加IBC的功率记载是26.63%)更高的双面率(理论双面率可做到98%)更大的降本钱潜力(工艺过程少、硅片薄片化潜力大)更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象)更优异的温度系数(温度系数为-0.258%,惯例晶硅电池为-0.46%)更适合与叠瓦技能相结合(HIT电池柔性不易隐裂,更适合)下面咱们逐条剖析HIT电池的每一个点。1、更高的功率潜力HIT选用N型硅片具有较高的少子寿数,一起HIT选用特别的非晶硅钝化的对称结构能够获得较低的外表复合速率,这些特色是的HIT电池能够获得很高的开路电压(HIT电池开路电压740mv、perc电池开路电压660mv,引述自易治凯先生),终究功率潜力比现在P-perc电池片要高1.5~2%。实验室功率记载方面,P-perc电池现在最高实验室功率最近由晶科动力获得23.95%;三洋则是HIT电池功率记载的保持者,功率为25.6%。量产均匀电池功率方面,现在国内抢先的P-perc电池功率可做到21.7%,年末完成22%的功率水平;而以晋能科技为代表的HIT现在量产电池片功率为23.27%,年末有望完成24%的均匀量产功率。2、更高的双面率HIT电池因为其共同的双面对称结构使其更易于制造成双面电池,现在双面率在85%,而未来真实老练工业化运用的时分,HIT双面率有望到达95+%的水平,这就意味着未来某个不走心的安装工人把HIT组件正反面安反了,其实践发电功率也不会有太大丢失。P-perc方面现在隆基现已完成了82%的双面率,这现已非常了不得的成果了,可是因为其特别的反面开槽的结构,未来再把双面率做高将会面对越来越多的困难。3、更大的降本钱潜力HIT电池尽管现在本钱更高,可是未来降本的空间非常巨大,并且我以为在相关条件老练时,HIT组件的本钱甚至有潜力低于P-perc组件,这首要是因为榜首:HIT电池加工温度低(240度)所运用到的硅片有潜力做到更薄,HIT电池未来真实老练之际,可运用100微米厚度的硅片;而P-perc持续下降硅片厚度的空间非常有限,因为其背部的铝背场温度系数和硅片温度系数不同,过薄的P型硅片简略发生隐裂,此外P型电池扩散工艺的加工温度为800~900度,过薄的硅片简略在高温下翘边。第二:除了硅片薄化的降本空间更大以外,HIT的工艺过程也更为简洁,悉数生产流程的工艺过程仅为四步;而晶科P-perc电池为了完成23.9%的转化功率需求叠加多种工艺,工艺过程在十步以上。HIT组件本钱能够做到更低的第三个原因首要来自于功率更高带来的封装本钱的下降上。现在一张60型组件的含税封装成为约为220元/片,封装本钱首要包括光伏玻璃、EVA胶膜、铝框、背板等等,降本空间有限,本钱较为刚性。所以三年后HIT电池真实迸发之际,咱们假定封装本钱仍旧为220元/片仍旧合理。三年后HIT电池真实迸发之际P-perc组件功率有望到达330W,而HIT组件的功率有望到达360W,仅比较正面功率的情况下,HIT组件单瓦封装本钱比Perc组件低220÷330-220÷360=0.056,这就意味着未来HIT组件在单瓦封装本钱上可比perc组件低约6分钱。此处咱们简略总结一下,HIT组件未来得益于更薄的硅片、更少的加工过程和更低的封装本钱,在战胜设备环节的问题今后,单瓦本钱有望更低。 1234下一页>